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MOSFET IRFB4110PBF , Canal-N, 180 A 100 V TO-220AB, 3 broches

TR-IRFB4110PBF

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MOSFET IRFB4110PBF , Canal-N, 180 A 100 V TO-220AB, 3 broches

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Détail produit

Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon


MOSFET de commande moteur


Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.


MOSFET redresseur synchrone


La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.


Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.


Caractéristiques techniques

Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 180 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 5 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 370 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Hauteur 9.02mm
Série HEXFET
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
Largeur 4.82mm
Longueur 10.66mm
Charge de Grille type @ Vgs 150 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum +175 °C

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