Circuit intégré MC1413DR2G SO16 Paire Darlington, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 broches Emetteur commun Agrandir l'image

Circuit intégré MC1413DR2G SO16 Paire Darlington, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 broches Emetteur commun

CI-MC1413DR2G

Neuf

Circuit intégré MC1413DG SO16 Paire Darlington, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 broches Emetteur commun

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Transistors Darlington NPN, ON Semiconductor

Normes

Les références fabricant avec un préfixe S ou NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile.

Caractéristiques techniques
AttributValeur
Type de transistor NPN
Courant continu de Collecteur maximum 500 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum 50 V
Tension Emetteur Base maximum 5 V
Type de boîtier SOIC
Type de montage CMS
Nombre de broches 16
Configuration du transistor Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit 7
Gain en courant DC minimum 1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6 V
Longueur 10mm
Hauteur 1.5mm
Dimensions 10 x 4 x 1.5mm
Température de fonctionnement minimum -40 °C
Largeur 4mm
Température d'utilisation maximum +85 °C

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