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Transistor IRF630NPBF MOSFET, Canal-N, 9,3 A 200 V TO-220AB, 3 broches

TR-IRF630NPBF

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Transistor IRF630NPBF MOSFET, Canal-N, 9,3 A 200 V TO-220AB, 3 broches

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Détail produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N 150 à 600 V, Infineon


La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.


Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.


Caractéristiques techniques

Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 9,3 A
Tension Drain Source maximum 200 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 300 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 82 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 4.69mm
Température d'utilisation maximum +175 °C
Charge de Grille type @ Vgs 35 nC @ 10 V
Série HEXFET
Matériau du transistor Si
Hauteur 8.77mm
Longueur 10.54mm

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